光化學反應儀主要用于研究氣相或液相介質、固定或流動體系、紫外光或模擬可見光照、以及反應容器是否負載TiO2光催化劑等條件下的光化學反應。具有提供分析反應產物和自由基的樣品，測定反應動力學常數，測定量子產率等功能，廣泛應用化學合成、環境保護以及生命科學等研究領域
光化學、干膜、曝光及顯影制程術語手冊1、Absorption 領受，吸入
指被領受物會進入主體的內部，是一種化學式的吸入步履。如光化反映中的光能領受，或板材與綠漆對溶劑的吸入等。還有一近似詞 Adsorption 則是指吸附而言，只附著在主體的概略，是一種物理式的親和吸附。
2、Actinic Light(or Intensity，or Radiation) 有用光
指用以完成光化反映各類光線中，其Z有用波長規模的光而言。例如在360～420 nm 波長規模的光，對偶氮棕片、淺顯吵嘴底片及重鉻酸鹽感光膜等，其等反映均Z快Z且功用Z大，謂之有用光。
3、Acutance 解像尖銳度
是指各類由感光編制所取得的圖像，其線條邊緣的尖銳景象抽象 (Sharpness)，此與解像度 Resolution 不合。后者是指在必定寬度距離中，可以了了的顯像(Develope)解出若干良多多少組“線對"而言(Line Pair，系指一條線路及一個空間的組合)，普簡易稱只說解出機條“線"而已。
4、Adhesion Promotor 附出力增進劑
多指干膜中所添加的某些化學品，能促使其與銅面發生“化學鍵"，而增進其與底材間之附出力者皆謂之。
5、Binder 粘結劑
各類積層板中的接著樹脂部份，或干膜之阻劑中，所添加用以“成形"而不致太“散"的接著及組成劑類。
6、Blur Edge(Circle)恍惚邊帶，恍惚邊圈
多層板各內層孔環與孔位之間在做瞄準度搜檢時，可把持 X光透視法為之。由于X光之光源與其機組均非平行光之機關，故所得圓墊(Pad)之減少回憶，其邊緣之解像其實不明銳了了，稱為 Blur Edge。
7、Break Point 出像點，顯像點
指制程中已有干膜貼附的“在制板"，于自動保送線顯像室上下噴液中遏制顯像時，抵達其完成沖洗而閃現出了了圖形的“旅程點"，謂之“Break Point"。所經歷過的沖洗旅程，以占顯像室長度的 50~75% 之間為好，如斯可以使剩下旅途中的清水沖洗，更能增強斷根殘膜的成果。
8、Carbon Arc Lamp 碳弧燈
晚期電路板底片的翻制或版膜的分娩時，為其曝光所用的光源之一，是在中心迫近的碳精棒之間，施加高電壓而發生弧光的拆卸。
9、Clean Room 無塵室、潔凈室
是一個遭到賣力經管及精采把握的房間，其溫度、濕度、壓力都可加以調劑，且氣氛中的塵埃及臭氣已予以消弭，為半導體及細線電路板分娩制造必需的景象抽象。淺顯“潔凈度"的表達，是以每“立方呎"的氣氛中，含有大于0.5μm以上的塵粒數目，做為分級的尺度，又為儉仆成本起見，常只在使命臺面上設置部門無塵的景象抽象，以嘗試必需的使命，稱 Clean Benches。
10、Collimated Light 平行光
以感光法遏制回憶轉移時，為添加底片與板面間，在圖案上的變形走樣起見，應采納平行光遏制曝光制程。這類平行光是經由屢次反射折射，而取得低熱量且近似平行的光源，稱為Collimated Light，為細線路建筑必需的裝備。由于垂直于板面的平行光，對板面或景象抽象中的少許塵埃都很是緩慢，常會忠誠的暗示在所曬出的回憶上，構成許多額定的漏洞錯誤，反不如淺顯散射或漫射光源可以也許自彼此補而消彌，故采納平行光時，必需還要無塵室的合營才行。此時底片與待曝光的板面之間，已無需再做抽真空的密接(Close Contact)，而可間接使用較嚴重的 Soft Contact或Off Contact了。
11、Conformity吻合性，服貼性
完成零件壞配的板子， 為使整片板子外形遭到賣力的呵護起見，再以絕緣性的涂料予以封護涂裝，使有更好的信賴性。淺顯或較高條理的拆卸板，才會用到這類外形貼護層。
12、Declination Angle 斜射角
由光源所間接射下的光線，或經各類折射反射過程后，再行射下的光線中，凡閃現不垂直射在受光面上，而與“垂直法線"呈某一斜角者(即圖中之 a角)該斜角即稱 Declination Angle。當此斜光打在干膜阻劑邊緣所組成的“小孔相機"并經 Mylar 折光下，會泛起另外一“平行光"之半角(Collimation HalfAngle，CHA)。但凡“細線路"曝光所邃密精彩的“高平行度"的曝光機時，其所呈的“斜射角"應小于 1.5 度，其“平行半角"也須小于 1.5 度。
13、Definition 邊緣傳神度
在以感光法或印刷法遏制圖形或回憶轉移時，所取得的下一代圖案，其線路或各導體的邊緣，是不是能泛起齊直而又忠于原底片之外形，稱為“邊緣齊直性"或傳神度“Definition"。
14、Densitomer 透光度計
是一種對吵嘴底片之透光度(Dmin)或遮光度(Dmax)遏制丈量之儀器，以搜檢該底片之劣化水平若何。其經常使用的品牌如 X-Rite 369 等于。
15、Developer 顯像液，顯影液，顯像機
用以沖洗掉未感光聚合的膜層，而留下已感光聚合的阻劑層圖案，其所用的化學品溶液稱為顯像液,如干膜制程所用的碳酸鈉(1％)溶液等于。
16、Developing 顯像，顯影
是指感光回憶轉移過程中，由母片翻制子片時稱為顯影。但對下一代像片或干膜圖案的閃現作業，則應稱為“顯像"。既然是由底片上的“影"轉移成為板面的“像"，雖然就該當稱為“顯像"，而不宜再續稱底片階段的“顯影"，這是淺而易見的事理。可是業界積非成是習用已久，一時興不茍且更正。日文則稱此為“現像"。
17、Diazo Film 偶氮棕片
是一種有棕色阻光膜的底片，為干膜回憶轉移時，在紫外光中公用的曝光用具(Phototool)。這類偶氮片即使在棕色的遮光區,也能在“可見光"中透視現實片下的板面景象抽象，比吵嘴底片要便當的多。
18、Dry Film 干膜
是一種做為電路板回憶轉移用的干性感光薄膜阻劑,還有 PE 及 PET 兩層皮膜將之夾心呵護。現場施工時可將 PE 的隔離層撕掉，讓中心的感光阻劑膜壓貼在板子的銅面上,在經由底片感光后即可再撕掉 PET 的表護膜，遏制沖洗顯像而組成線路圖形的部門阻劑，進而可再嘗試蝕刻(內層)或電鍍(外層)制程，Z初在蝕銅及剝膜后，即取得有裸銅線路的板面。
19、Emulsion Side藥膜面
吵嘴底片或 Diazo 棕色底片，在 Mylar 通明片基 ( 經常使用者有 4 mil 與7 mil 兩種)的一個概略上涂有薄的感光乳膠(Emulsion) 層，做為回憶轉移的前言對象。當從已有圖案的母片要翻照出“光性"相反的子片時，必需謹遵“藥面貼藥面" ( Emulsion to Emulsion ) 的基來歷根抵則，以消弭因片基厚度而泛起的折光，添加更生畫面的變形走樣。
20、Exposure 曝光
把持紫外線(UV)的能量，使干膜或印墨中的光敏物資遏制光化學反映，以抵達遴選性部門架橋軟化的成果，完成回憶轉移的手段稱為曝光。
21、Foot 殘足
指干膜在顯像今后部份決計留下阻劑，其根部與銅面接觸的死角處，在顯像時不茍且沖洗干凈而殘留的余角(Fillet)，稱為Foot或Cove。當干膜太厚或曝光能量貧乏時，常會泛起殘足，將對線寬構成影響。
22、Halation環暈
指曝光制程中領受光照之圖案概略，其外緣常組成明暗之間的環暈。成因是光線穿過半通明之被照體而抵達另外一面，受反射折光回到背面來，即泛起混沌不清的邊緣地帶。
23、Half Angle 半角
此詞的正式稱號是 Collimation Half Angle“平行光半角"。 是指曝光機所射下的“斜光"，抵達底片上回憶圖案的邊緣，由此“邊緣"所發生“小孔拍照機"效應，而將“斜光"擴大成“發散光"其擴大角度的一半，謂之“平行光半角"(CHA)，簡稱“半角"。
24、Holding Time 停置時辰
當干膜在板子銅面上完成壓膜步履后，需停置 15～30 分鐘，使膜層與銅面之間發生更強的附出力；而經曝光后也要再停置 15～30 分鐘，讓已感光的部份膜體，延續遏制的架橋聚合反映，以便耐得住顯像液的沖洗，此兩者皆謂之“停置時辰"。
25、Illuminance 照度
指照耀到物體概略的全部“光能量"而言。
26、Image Transfer 回憶轉移，圖像轉移
在電路板工業中是指將底片上的線路圖形，以“間接光阻"的編制或“間接印刷"的編制轉移到板面上，使板子成為零件的互連配線及拆卸的載體，而得以闡揚功用。回憶轉移是電路板制程中要的一站。
27、Laminator 壓膜機
當阻劑干膜或防焊干膜以熱壓編制貼附在板子銅面上時，所使用的加熱輾壓式壓膜機，稱之 Laminator。
28、Light Integrator 光能堆集器、光能積分器
是在某一時段內，對物體概略合計其總共所取得光能量的一種儀器。此儀器中含濾光器，可用以除去淺顯待測波長之外的光線。當此儀另與計時器合營后，可合計物體概略在按時中所領遭到的總能量。淺顯干膜曝光機中都加裝有這類“積分器"，使曝光作業加倍切確。
29、Light Intensity 光強度
單元時辰內(秒)抵達物體概略的光能量謂之“光強度"。其單元為 Watt/cm2,延續一時段中所累計者即為合計光能量，其單元為 Joule(Watt?Sec)。
30、Luminance 發光強度，耀度
指由發光物體概略所發出或某些物體所反射出的光通量而言。近似的字詞尚有“光能量"Luminous Energy。
31、Negative-Acting Resist 負性傳染激動之阻劑，負型阻劑
是指感光后能發生聚合反映的化學物資，以其所配制的濕膜或干膜，經曝光、顯像后，可將未感光未聚合的皮膜洗掉，而只在板面上留下已聚合的阻劑圖形，的原始圖案相反，這類感光阻劑稱之為“負性傳染激動阻劑"，也稱為Negative Working Resist。反之，能發生感光分化反映，板面的阻劑圖案與底片不異者，則稱為 Positive Acting Resis 。電路板因解像度(Resolution，陸地用語為“分辯率")的要求不高，但凡采納“負性傳染激動"的阻劑即可，且也較低價。至于半導體IC、混成電路(Hybrid)、液晶線路(LCD)等則采解像度較好的“正型"阻劑，的其代價也很是貴。
32、Mercury Vaper Lamp 汞氣燈
是一種不延續光譜的光源，其要的四五個強峰位置,是調集在波長 365～560nm 之間。其當光源強度之揭露與能量的施加,在時辰上會稍有后進。且光源熄滅后若需再時，還需求經由一段冷卻的時辰。是以這類光源一旦策動后就要延續使用，不宜開開關關。在不用時可采“光柵"的編制做為阻斷把握，避免開關次數太多而損及光源的壽命。
33、Newton Ring 牛頓環
當光線經由過程不合密度的介質，而其間的距離(Gap，例如氣氛)又薄時，則入射光會與此薄的氣氛間隙發生傳染激動，而泛起五彩狀齊心圓的環狀現象，由因此牛頓所察覺的故稱為“牛頓環"。干膜之曝光因系在“不平行"或散射光源下遏制的，為添加母片與子片間因光線斜射而構成失真或不忠誠現象，故必需將兩者之間的間距盡可以或許予以增添，即在抽真空下密接(Close Contact)，使完成藥面接藥面(Imulsion Side to Imulsion Side)之緊貼，以抵達的回憶轉移。凡當兩者之間尚有殘剩氣氛時，即暗示抽真空水平貧乏。此種未密接之回憶，必定會發生曝光不良而激發的解像劣化，乃至沒法解像的景象抽象。而此殘剩氣氛所閃現的牛頓環，若用手指去壓擠時還會泛起移動現象，成為一種真空水平是不是精采的方針。為了更便當搜檢牛頓環是不是仍能移動之景象抽象，在曝光臺面上方裝設一支黃色的燈光，以便于隨時搜檢是不是仍有牛頓環的具有。上法可以讓守舊非平行光型的曝光機，也能揭顯露Z精采曝光的才調。
34、Oligomer 寡聚物
原本意義是指介于已完成聚合的高份子，與原單體之間的“半制品"，電路板所用的干膜中即布滿了這類寡聚物。底片“明區"部份所“據有"的干膜，一經曝光后即睜開聚合軟化，而耐得住碳酸鈉溶液(1%)的顯像沖洗，至于未感光的寡聚物則會被沖掉，而泛起遴選性“ 阻劑 "圖案，以便能再延續遏制蝕刻或電鍍。
35、Optical Density 光密度
在電路板制程中，是指棕色底片上“暗區"之阻光水平，或“明區"的透光 水平而言，淺顯以D示之。另外此詞的是透光度(Transmittance，T)。 此二種與“光"相關的素質，可用入射光(Incident Light，Ii)及顯閃現光(Transmitted light I) 兩參數表達以下，即： T=I／Ii--------------------(1) D=－log T------------------(2) 將(1)式代入(2)中可得： D=－log (I／Ii )-----------(3) 現將“光密度"(D)，與“透光度"(T)，及棕色底片“道德"三者之聯系，列表清算于下： (上表中 Dmim暗示棕片明區的光密度；Dmax暗示暗區的光密度) 分娩線上所使用的棕色片 (Diazo)，需按時以“光密度檢測儀"(見附圖)去遏制搜檢。一旦察覺道德不良時，應即行交流棕片，以保證曝光應有的水準。此點對防焊干膜的解像精度出格要。 光密度 D T%透光度 棕片道德 -------- ---------- --------- 0.00 100.0 棕色片明區 0.10 79.4 的光密度 Dmim 0.15 70.8 應低于 0.15 1.00 10.0 2.00 1.0 3.00 0.1 3.50 0.03 4.00 0.01 棕色片暗區 4.50 0.0065 的光密度 Dmax 5.00 0.001 應高于 3.50
36、Oxygen Inhibitor氧氣抑止現象
曝光時干膜會領受紫外線中能量，激發本人配方中敏化劑(Sensitizer)的割裂，而成為活性高的“安閑基"(Free Radicals)。此等安閑基將再促使與其他單體、不含飽和樹脂、及已部份架橋的樹脂等遏制周全的“聚合反映"。此反映須而無氧在外形下才補救止，一旦接觸氧氣后其聚合反映將遭到抑止或攪擾而沒法完成，這類氧氣所飾演的腳色，即稱為“Oxygen Inhibitor"。這就是為什幺當板子在遏制其干膜曝光，和曝光后的停置時辰(Holding Time)內，都不克不及撕掉概略通明護膜(Mylar)的啟事了。可是在測驗考試干膜之“正片式蓋孔法"(Tening)時，其鍍通孔中雖然也具有有氧氣，為了添加上述Indibitor現象對該孔區干膜后背(與通孔中氣氛之接觸面)的影響起見，可采納下述挽救編制：1.在強曝光之光源強度下，使頃刻發生更多的安閑基，以耗費領受掉鍍孔中有限的氧氣。且組成一層毛病，以防氧氣自后背的延續滲入滲出滲出。2.增加蓋孔干膜的厚度，使孔口“蒙皮"軟膜的背面部份，仍可在Mylar呵護下延續嘗試無氧之聚合反映。即使后背較為虧弱結實，在背面已充份聚合而抵達厚度下，仍耐得住短時辰的酸性噴蝕，而完成正片法的外層板(見附圖)。不外蓋孔法對“無孔環"(Landless)的高密度電路板，則只好“沒法度圭表標準圭表尺度"了。這類行進進步前輩高檔第(High Eng)電路板，恍如僅剩“塞孔法"一途可行了。
37、Photofugitive感光褪色
軟膜阻劑的色估中，有一種非凡的添加物，會使已感光部份的色彩變淺，以便與未感光部份的原色有所辯白，使在分娩線上茍且分辯是不是已做過曝光，而不致弄錯再多曝光一次。與此詞對應的還有感光后色彩加深者，稱者“Phototropic"。
38、Photoinitiator感光啟始劑
又稱為敏化劑Sensitizer，如昆類(Quinones)等染料，是干膜領受感光能量后先睜開步履者。當此劑領遭到UV的欣喜后，即快速分化成為安閑基(Radicals)，進而激起各式連鎖聚合反映，是干膜配方中之要成份。
39、Photoresist Chemical Machinning(Milling)光阻式化學(銑刻)加工
用感光成像的編制，在薄片金屬上組成遴選性的兩面感光阻劑，再遏制雙面銑刻(鏤空式的蝕刻)以完成所需邃密紊亂的名堂，如積體電路之腳架、果菜機的主體濾心濾網等，皆可采PCM編制建筑。
40、Photoresist光阻
是指在電路板銅面上所附著感光成像的阻劑圖案，使能進一步嘗試遴選性的蝕刻或電鍍之使命。經常使用者有干膜光阻及液態光阻。除電路板外，其他如微電子工業或PCM等也都需用到光阻劑。
41、Point Source Light點狀光源
當光源遠比被照體要小，而且小到小；或光源與被照體相距遠，則從光源到被照體概略就職何一點，其各光線之間幾近成為平行時，則該光源稱為“點狀光源“
42、Positive Acting Resist正性型光阻劑
有指有光阻的板面，在底片明區涵蓋下的阻層，遭到紫外光能的欣喜而發生“分化反映"，并經顯像液之沖洗而被“除去"，只在板上決計留下“未感光"未分化之部份阻劑。這類因感光而分化的阻劑稱為“正性光阻劑"，亦稱為Positive Working Resist。但凡這類“正性光阻"的原料要比負性光阻原料貴的良多，因其解像力很好，故淺顯多用于半導體方面的“晶圓"制造。比出處于電路板外層的細線路組成，逐漸有采取“正片法"的間接蝕刻(Print and Etch)流程，以儉仆工序及添加錫鉛的凈化。是以干膜蓋孔及油墨塞孔皆被試用過，前者對“無環"(Landless)或孔環太窄的板類，將遭到限制而良品率著落，后者油墨不單手續省事，且得勝率也很高。是以“正性的電著光阻"(Positive ED)，就將應運而生。今朝此法已在日本NEC公司上線量產，因可在孔壁上組成呵護膜，故能間接遏制線路蝕刻，是為行進進步前輩的做法。
43、Primary Image線路成像
此術語原用于網版印刷制程中，現亦用于干膜制程上，是指內外層板之線路圖形，由底片上經由干膜而轉移于板子銅面上，這類專做線路轉移的使命，則稱為“低級成像"或“主成像"，以示與防焊干膜的辯白。
44、Radiometer輻射計，光度計
是一種可檢測板面上所受照的UV光或射線(Radiation)能量強度的儀器，可測知每平方公分面積中所取得光能量的焦耳數。此儀并可在高溫保送帶上使用，對電路板之UV曝光機及UV軟化機都可加以檢測，以保證作業之道德。
45、Refraction折射
光線在不合密度的介質 (Media)中，其行進速度會紛歧樣，是以在不合介質的交壤面處，其行進標的手段將會點竄，也就是發生了“折射"。電路板之回憶轉移工程不管是采網印法、感光成像的干膜法，或槽液式ED法等，其各類通明載片、感光乳膠層、網布、版膜 (Stencil)等皆以不合的厚度合營成為轉移對象，故所得成像與真正設想者若干良多多少會有些差異，啟事之一就是來自光線的折射。
46、Refractive Index折射率
光在真空中遏制速度，除以光在某一介質中的速度，其所得之比值即為該介質的“折射率"。不外此數值會因入射光的波長、景象抽象溫度而有所不合。Z經常使用的光源是以 20℃時“鈉燈"中之D線做為尺度入射光，暗示編制是 20/D。
47、Resist阻劑，阻膜
指欲遏制板面濕制程之遴選性部門蝕銅或電鍍措置前，應在銅面上先做部門點綴之正片阻劑或負片阻劑，如網印油墨、干膜或電著光阻等，統稱為阻劑。
48、Resolution解像，解像度，解析度
指各類感光膜或網版印刷術，在采納具有2 mil“線對"(Line-Pair)的非凡底片，及在有用光曝光與切確顯像 (Developing) 后，于其1 mm的長度中所能了了閃現Z多的“線對"數，謂之“解像"或“解像力"。個中心謂“線對"是指“一條線寬合營一個間距"，龐雜的說 Resolution 就是指回憶轉移后，在新翻制的子片上，其每公厘間所能取得精采的“線對數" (line-pairs/mm) 。陸地業界對此之譯語為“分辯率"，普簡易稱的“解像"均很少觸及界說，只是一種斗勁性的說法而已。
49、Resolving Power解析力，解像力(分辯力)
指感光底片在其每mm之間，所能取得等寬等距(2 mil)解像精采的“線對"數目。但凡鹵化銀的吵嘴底片，在精采平行光及切確的母片下，約有 300 line-pair/mm 的解析力，而份子級偶氮棕片的解像力，則數倍于此。
50、Reverse Image負片氣像(阻劑)
指外層板面鍍二次銅(線路銅前，于銅面上所施加的負片干膜阻劑圖像，或(網印)負片油墨阻劑圖像而言。使在阻劑之外，決計空出的正片線路區域中，可遏制鍍銅及鍍錫鉛的操作。
51、Scum通明殘膜
是指干膜在顯像后，其未感光軟化之區域該當被沖洗干凈，而閃現干凈的銅面以便遏制蝕刻或電鍍。若依然殘留有少許呈通明狀的干膜殘屑時，即稱之為Scum。此種漏洞錯誤對蝕刻制程會構成各式的殘銅，對電鍍也將構成部門針孔、一般或附出力不良等錯誤謬誤。搜檢法可用 5％ 的氯化銅液(插足少許鹽酸)算作試劑，將干膜顯像后的板子浸于個中，在一分鐘之內即可檢測出 Scum 的具有與否。因干凈的銅面會即刻反映而釀成暗灰色。但留有通明殘膜處，則將依然閃現鮮紅的銅色。
52、Side Wall側壁
在PCB工業中有兩種寄義，其一是指顯像后的干膜反面，從微觀上所看到是不是豎立的景象抽象；其二是指蝕刻后線路兩反面的豎立外形，或所發生的側蝕景象抽象若何，皆可由電子顯微鏡或微切片上得以了了查詢拜訪。
53、Soft Contact輕觸
光阻膜于曝光時，須將底片慎密壓貼在干膜或已軟化之濕膜概略，稱為 Hard Contact。若改采平行光曝光裝備時則可沒需求緊壓，稱為 Soft Contact。此“輕觸" 有別于高度平行光自動連線之非接觸(Off Contact)式駕空曝光。
54、Static Eliminator靜電消弭器
電路板系以無機樹脂為基材。常在制程中的某些磨刷使命時會發生靜電。故在清洗后，還須遏制除靜電的使命，才不致吸附塵埃及雜物。淺顯分娩線上均應設置有各類除靜電拆卸。
55、Step Tablet階段式(光密度)曝光表
是一種窄長條型的軟性底片，按光密度(即遮光性)的不合，由淺到深做成階段式曝光嘗試用的底片，每“段格"中可透過不合的光量，然后，將之壓覆在干膜上，只需經一次曝光即可以讓板邊狹長形各段格的干膜，取得不合水平的感光聚合反映，找出曝光與后續顯像(Developing)的各類對應條件。是干膜制程的現場經管對象，又稱為 Step Scale、 Step Wedge 等。經常使用者有 Riston 17、Stouffer 21、 Riston 25、等各類“階段表"。
56、Tenting蓋孔法
是指把持干膜在外層板上做為抗蝕銅阻劑，遏制正片法流程，將可省去二次銅及鍍錫鉛的省事。此種連通孔也點綴的干膜施工法，稱為蓋孔法。這類蓋孔干膜猶如大鼓之上下兩片蒙皮淺顯，除可呵護孔壁不致受藥水報仇沖擊外，并也能護住上下兩板面待組成的孔環(Annular Ring)。本法是一種簡化適用的正片法，但對無環(Landless)有孔壁的板子則力所不及也。原文選詞開初并未想到鼓的“蒙皮"，而只想到“帳棚"，故知原文本已不夠傳神，而部份熟行人竟按其發音譯為“天頂法"其實匪夷所思不知所云。陸地業界之譯名是“粉飾法"及“孔粉飾法"。
57、Transmittance透光率
當入射光(Incident Light)抵達物體概略后，將泛起反射與透射兩種因應，其透光量與入射光量之比值稱為“透光率"。
58、Wet Lamination濕壓膜法
是在內層板遏制干膜壓合的操作中，也同時在銅面上施加一層薄薄的水膜，讓“感光膜"吸水后發生更好的“流動性"(Flow)。對銅面上的各類一般，闡揚更深切的填平才調，使感光阻劑具有更好的吻合性(Conformity)，提升對細線路蝕刻的道德。而所泛起過剩的水膜在熱滾輪擠壓的頃刻，也快速被擠走。此種對無通孔全平銅面的新式加水壓膜法，稱為 Wet Lamination。PCM Photoresisted Chemical Machining; 光阻式化學加工(亦做Photoresist Chemical Milling光阻式化學銑鏤)是在金屬薄片(如不銹鋼)兩面施加光阻，再遏制部門性慎密蝕透鏤空之手藝。
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